Wafer fabrication is advancing at a rapid pace in today's semiconductor industry, requiring several hundred processing steps before completion.

今日の半導体産業では、ウェハー製造が急速に進んでおり、完成までに数百の処理工程が必要である。

Many of these steps are thermal processes.

これらのステップの多くは熱プロセスである。

As device geometries continue to shrink, the thermal exposure must be reduced.

デバイス形状の微細化が進むにつれて、熱暴露を低減する必要がある。

Rapid thermal processing, or RTP, was developed to minimize a wafer's exposure to excess thermal energy.

急速熱処理（RTP）は、ウェハーが過剰な熱エネルギーにさらされるのを最小限に抑えるために開発された。

This is achieved by using thermal ramp rates up to 1,000 times faster than a standard batch furnace.

これは、標準的なバッチ炉の最大1,000倍の熱ランプ速度を使用することによって達成される。

The challenge for RTP is how to ramp quickly while maintaining temperature uniformity.

RTPの課題は、温度の均一性を保ちながらいかに迅速にランプアップさせるかである。

Present-day RTP systems use a single, non-contact optical pyrometer to measure a wafer's temperature at the center.

現在のRTPシステムは、単一の非接触光学式高温計を使用して、ウェーハの中心温度を測定します。

This single-point measurement, however, can't sense center-to-edge temperature differences.

しかし、このシングルポイント測定では、中心から端までの温度差を感知することはできない。

The result is non-uniform heating, which causes slip defects and undesirable process variations.

その結果、加熱が不均一になり、スリップ欠陥や望ましくないプロセス変動を引き起こす。

A second problem with conventional optical pyrometers is that they fail to adjust for the variation in the backside emissivity of the wafer.

従来の光学式高温計の第二の問題点は、ウェーハの裏面放射率のばらつきを調整できないことである。

Maintaining temperature control from wafer to wafer requires backside etching of the films, or a measurement of the emissivity and an adjustment to the production process.

ウェハごとに温度制御を維持するには、膜の裏面エッチング、または放射率の測定と製造工程の調整が必要である。

Applied Materials has introduced a new rapid thermal technology, the RTP Centura with the patented honeycomb source, offering significant improvements in three main areas.

アプライド マテリアルズは、特許取得済みのハニカムソースを採用した新しいラピッドサーマル技術RTP Centuraを発表した。

The first is in wafer heating control, using our patented honeycomb source.

第一は、特許を取得したハニカムソースを使用したウェーハ加熱制御である。

This RTP Centura lamp module replicates the structural strength and space efficiency found in a beehive honeycomb.

このRTPセンチュラランプモジュールは、ハチの巣に見られる構造的強度とスペース効率を再現しています。

The light source contains 187 variable intensity tungsten halogen lamps, each housed inside a collimating light pipe.

光源は187個の可変光度タングステンハロゲンランプで、それぞれコリメートライトパイプ内に収納されている。

This provides the high spatial resolution of the light intensity pattern required for thermal uniformity in combination with the high optical power density required for fast thermal ramps.

これにより、熱均一性に必要な光強度パターンの高い空間分解能と、高速サーマルランプに必要な高い光出力密度が実現される。

The second area of improvement with the RTP Centura is that temperature is measured by contact optical probes positioned beneath the wafer.

RTP Centuraの2つ目の改良点は、ウェーハの下に配置された接触型光学プローブで温度を測定することです。

A multi-input software controller readjusts the individual lamp zones at a rate of 20 times per second to maintain thermal uniformity.

マルチ入力ソフトウェア・コントローラーが、毎秒20回の割合で個々のランプゾーンを再調整し、熱均一性を維持する。

This plot of lamp voltage versus lamp group shows that the center to edge power distribution required to achieve uniform wafer temperature varies dramatically for different parts of the thermal cycle.

このランプ電圧対ランプグループのプロットは、均一なウェーハ温度を達成するために必要な中央から端への電力分布が、熱サイクルの異なる部分によって劇的に変化することを示している。

The RTP chamber has a programmable variable temperature ramping capability of up to 75 degrees C per second, with a ramp uniformity of better than plus or minus 2 degrees C.

RTPチャンバーは、毎秒75℃までのプログラム可能な可変温度ランプ機能を持ち、ランプの均一性はプラスマイナス2℃以上である。

Steady state temperature uniformity is typically better than plus or minus 0.5 degrees C.

定常状態の温度均一性は、通常プラスマイナス0.5度Cより優れている。

The result is the most uniform thermal wafer processing possible in the industry today, and a process that's guaranteed to be free of lattice slip defects.

その結果、現在業界で可能な限り均一な熱ウェハー処理が可能になり、格子スリップ欠陥のないプロセスが保証される。

The third area of improvement is in the RTP Centura's ability to adjust for the changes in emissivity of the backside of the wafer.

3つ目の改善点は、ウェーハ裏面の放射率の変化を調整するRTP Centuraの能力です。

We've solved this problem by designing the RTP Centura chamber to measure temperature independent of wafer emissivity, thereby greatly improving wafer-to-wafer repeatability.

RTPセンチュラ・チャンバーは、ウェーハの放射率に依存せずに温度を測定するよう設計することで、この問題を解決し、ウェーハ間の再現性を大幅に改善しました。

This simplifies the production process, eliminating the need for backside etches and emissivity checks.

これにより製造工程が簡素化され、裏面エッチングや放射率チェックが不要になる。

The applied materials RTP process module is designed for integration on the Centura mainframe.

応用材料RTPプロセスモジュールは、Centuraメインフレームに統合するように設計されています。

The RTP Centura system utilizes dual, independent vacuum load locks that can each hold up to 25 wafers.

RTP Centuraシステムは、それぞれ最大25枚のウェハーを保持できる、独立した二重の真空ロードロックを利用している。

Located in a sealed high-purity transfer chamber, a magnetically coupled dual-speed robot provides precise movement of wafers, maximizing throughput and minimizing contamination.

密閉された高純度搬送チャンバー内に設置され、磁気的に結合されたデュアルスピードロボットがウェーハを正確に移動させ、スループットを最大化し、コンタミネーションを最小限に抑える。

The high-purity environment eliminates the need for lengthy chamber purges.

高純度環境は、長時間のチャンバーパージを不要にする。

Wafers enter the process chamber and are then lifted by three quartz pins.

ウェーハはプロセスチャンバーに入り、3本の石英ピンで持ち上げられる。

The robot blade is withdrawn and the pins lower the wafer onto the edge ring.

ロボットブレードが引き抜かれ、ピンがウエハーをエッジリングに下ろす。

Rotation of the ring and wafer during processing results in excellent process uniformity.

処理中にリングとウェーハを回転させることで、プロセスの均一性に優れている。

The robot end effector is made of high-purity quartz, allowing removal of the wafer at temperatures as high as 800 degrees C.

ロボットのエンドエフェクターは高純度石英製で、800度の高温でのウェーハ除去が可能。

The wafer is then moved to a cool-down station prior to placement in the cassette.

その後、ウェハはカセットにセットされる前に冷却ステーションに移される。

The three major applications for the RTP Centura system are ion implant anneal, silicide anneal, and oxidation.

RTP Centuraシステムの3つの主な用途は、イオン注入アニール、シリサイドアニール、酸化である。

Results on source drain implant anneal show more precise control of L-effective dimensions, a requirement for submicron devices.

ソース・ドレイン注入アニールの結果は、サブミクロンデバイスの要件であるL-実効寸法のより精密な制御を示している。

Multipoint temperature measurement ensures wafer-to-wafer repeatability of less than 1 degree C.

マルチポイント温度測定により、ウェーハ間の繰り返し精度は1度C未満です。

Annealing of titanium silicide films improves with the RTP Centura in process uniformity and repeatability.

チタンシリサイドフィルムのアニーリングは、RTP Centuraによってプロセスの均一性と再現性が向上しました。

Added non-uniformity is controlled to less than 1% independent of wafer backside films.

付加不均一性は、ウェーハ裏面膜に依存することなく1％未満に制御される。

Creation of thin film oxides for use as the gate oxide was not previously achievable with RTP technology.

ゲート酸化物として使用する薄膜酸化物の作成は、以前はRTP技術では実現できなかった。

However, with the applied materials RTP chamber, oxide uniformities of better than 1% are achievable.

しかし、応用材料のRTPチャンバーでは、1%以上の酸化物均一性が達成可能である。

High throughput, excellent uptime, and very low maintenance make the RTP Centura a high-productivity, low-cost-of-ownership tool.

高いスループット、優れた稼働時間、非常に低いメンテナンス性により、RTP Centuraは生産性が高く、所有コストの低いツールとなっています。

Marathon customer tests have shown the system capable of running over 130,000 wafers without preventive maintenance.

マラソン社の顧客テストでは、このシステムは予防メンテナンスなしで13万枚以上のウエハーを稼働できることが示されている。

There is only one RTP system that provides backside emissivity-independent temperature measurement, multiple sensor control loops for complete wafer temperature control on a high-throughput, reliable wafer handling platform with benefits that include superior process performance and yield, and reduced cost of ownership.

高スループットで信頼性の高いウェーハハンドリングプラットフォーム上で、裏面放射率に依存しない温度測定、完全なウェーハ温度制御のための複数のセンサー制御ループを提供し、優れたプロセス性能と歩留まり、所有コストの削減などの利点を持つRTPシステムは1つしかありません。

The RTP Centura with the honeycomb source, only from applied materials.

ハニカムソースを採用したRTPセンチュラ。

Advancing RTP technology into the next century.

RTP技術を次の世紀へ。